三星推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。 该公司新的Flashbolt存储器堆栈将性能提高了33%，并提供每个芯片双倍容量以及每个封装的双倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，这是一个合适的场合，因为NVIDIA因其广受欢迎的GV100处理器而成为HBM2内存最大的用户之一。

　　三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器芯片，这些芯片使用TSV(通过硅通孔)以8-Hi堆栈配置互连。每个Flashbolt封装都具有1024位总线，每个引脚的数据传输速率为3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高达410GB/s的带宽。

　　三星将其Flashbolt KGSD定位瞄准下一代数据中心，HPC，AI/ML和图形应用程序。通过使用具有4096位存储器接口的处理器的四个Flashbolt堆栈，开发人员可以获得具有1.64TB/s峰值带宽的64GB内存，这对于容量和带宽需求大的芯片来说将是一个很大的优势。使用两个KGSD，它们可获得32GB的DRAM，峰值带宽为820GB/s。

　　三星表示自己尚未开始批量生产Flashbolt HBM2E内存，但是已完成该技术的开发。